Магазин

Напряжение питания: 1.65 В

CAS Latency (CL): 7

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Радиатор: есть

Тип памяти: DDR3

Тактовая частота: 1333 МГц

Row Precharge Delay (tRP): 7

Низкопрофильная (Low Profil 
Подробнее...

Буферизованная (Registered): нет

Напряжение питания: 1.5 В

CAS Latency (CL): 7

Радиатор: есть

Пропускная способность: 10660 Мб/с

Поддержка ECC: нет

Тактовая частота: 1333 МГц

Row Precharge Delay  
Подробнее...

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Поддержка ECC: есть

Количество ранков: 2

Буферизованная (Registered): да

Тип памяти: DDR3

Тактовая частота: 1333 МГц

Объем: 2 м 
Подробнее...

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Объем: 1 модуль 1 Гб

CAS Latency (CL): 2.5

Поддержка ECC: нет

Форм-фактор: SODIMM 200-контактный

Тактовая частота: 333 МГц

Тип  
Подробнее...

Activate to Precharge Delay (tRAS): 15

Совместимость: для Apple

CAS Latency (CL): 5

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

RAS to CAS Delay (tRCD): 5

Напряжение питания: 1.8  
Подробнее...

Поддержка ECC: нет

Буферизованная (Registered): нет

Радиатор: есть

Тактовая частота: 1600 МГц

Напряжение питания: 1.5 В

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

Ф 
Подробнее...

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Объем: 1 модуль 1 Гб

Буферизованная (Registered): нет

Activate to Precharge Delay (tRAS): 18

Пропускная способность: 5300 Мб/с

Row Precharge Delay (tRP): 6

RAS to CAS Del 
Подробнее...

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тактовая частота: 667 МГц

Объем: 2 модуля по 4 Гб

Буферизованная (Registered): нет

Пропускная способность: 5300 Мб/с

Количество ранков: 2

Низкопрофильная (Low Profile): н 
Подробнее...

Радиатор: есть

Поддержка ECC: нет

Row Precharge Delay (tRP): 6

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

CAS Latency (CL): 6

Буферизованная (Registered): нет

Такто 
Подробнее...

CAS Latency (CL): 9

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Activate to Precharge Delay (tRAS): 27

Объем: 1 модуль 4 Гб

RAS to CAS Delay (tRCD): 11

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Напряжение питания: 1.65 В< 
Подробнее...

Activate to Precharge Delay (tRAS): 12

Тип памяти: DDR2

Радиатор: есть

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Row Precharge Delay (tRP): 4

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Дополнительная информация: напряжен 
Подробнее...

Объем: 1 модуль 4 Гб

Буферизованная (Registered): нет

CAS Latency (CL): 7

Поддержка ECC: нет

Тактовая частота: 1066 МГц

Пропускная способность: 8500 Мб/с

Форм-фактор: SODIMM 204-контактный

Напряж 
Подробнее...

Буферизованная (Registered): да

Тип памяти: DDR3

Поддержка ECC: есть

Тактовая частота: 1333 МГц

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Объем: 1 модуль 8 Гб

Пропускная 
Подробнее...

Тактовая частота: 800 МГц

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тип памяти: DDR2

Объем: 1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC: есть

Буферизованная (Registered): да

Напряжение питания: 1.8 В

Форм-фактор: DIMM  
Подробнее...

CAS Latency (CL): 6

Activate to Precharge Delay (tRAS): 18

Row Precharge Delay (tRP): 6

Поддержка ECC: нет

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тип памяти: DDR2

RAS to CAS Delay (tRCD): 6

Объем: 1 мо 
Подробнее...

Тип памяти: DDR2

Пропускная способность: 5400 Мб/с

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Напряжение питания: 1.8 В

Буферизованная (Registered): нет

Объем: 1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC: нет

Форм-факто 
Подробнее...

Тактовая частота: 800 МГц

Тип памяти: DDR2

Напряжение питания: 1.9 В

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Поддержка ECC: нет

CAS Latency (CL): 5

Объем: 1 модуль 1 Г 
Подробнее...

Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тип памяти: DDR3

Row Precharge Delay (tRP): 9

Радиатор: есть

Тактовая частота: 2000 МГц

Поддержка 
Подробнее...

Низкопрофильная (Low Profile): нет

CAS Latency (CL): 4

Тактовая частота: 533 МГц

Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный

Буферизованная (Registered): да

Радиатор: есть

Поддержка ECC: есть

Тип памяти: 
Подробнее...

Поддержка ECC: нет

Напряжение питания: 1.9 В

Тактовая частота: 2000 МГц

Тип памяти: DDR3

Row Precharge Delay (tRP): 9

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Объем: 1 модуль 2 Гб

Радиатор: есть