Магазин

RAS to CAS Delay (tRCD): 10

Row Precharge Delay (tRP): 10

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 17000 Мб/с

Тип памяти: DDR3

Радиатор: есть

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Activate to Prec 
Подробнее...

Радиатор: есть

Row Precharge Delay (tRP): 9

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 10666 Мб/с

Тип памяти: DDR3

Activate to Precharge Delay (tRAS): 20

CAS Latency (CL): 9

Напряжение питания: 1 
Подробнее...

Напряжение питания: 1.65 В

Поддержка ECC: нет

CAS Latency (CL): 9

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Тактовая частота: 2000 МГц

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Activate to Precharge Delay (tRAS): 30

RAS to 
Подробнее...

Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

CAS Latency (CL): 6

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тип памяти: DDR3

Напряжение питания: 1.65 В

Тактовая частота: 2000 МГц

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Row Pr 
Подробнее...

Радиатор: есть

RAS to CAS Delay (tRCD): 10

Объем: 3 модуля по 2 Гб

Пропускная способность: 17000 Мб/с

Буферизованная (Registered): нет

CAS Latency (CL): 7

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Row P 
Подробнее...

Row Precharge Delay (tRP): 8

Пропускная способность: 16000 Мб/с

RAS to CAS Delay (tRCD): 9

Тип памяти: DDR3

Буферизованная (Registered): нет

Радиатор: есть

Напряжение питания: 1.65 В

Объем: 2 мод 
Подробнее...

Пропускная способность: 10666 Мб/с

Буферизованная (Registered): нет

Тактовая частота: 1333 МГц

Тип памяти: DDR3

Объем: 4 модуля по 4 Гб

Activate to Precharge Delay (tRAS): 20

Радиатор: есть

RAS t 
Подробнее...

Буферизованная (Registered): нет

Тип памяти: DDR3

Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

Тактовая частота: 1600 МГц

Поддержка ECC: нет

Пропускная способность: 12800 Мб/с

Форм-фактор: DIMM 240-контактный< 
Подробнее...

Поддержка ECC: нет

Радиатор: есть

Буферизованная (Registered): нет

Row Precharge Delay (tRP): 9

RAS to CAS Delay (tRCD): 9

CAS Latency (CL): 9

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тип памяти: DDR3
Подробнее...

Activate to Precharge Delay (tRAS): 20

RAS to CAS Delay (tRCD): 9

Напряжение питания: 1.65 В

Буферизованная (Registered): нет

Поддержка ECC: нет

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

CAS Latency (CL): 9

Activate to Precharge Delay (tRAS): 27

Тип памяти: DDR3

Тактовая частота: 1866 МГц

Напряжение питания: 1.65 В

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Поддержка ECC: нет

Объем: 1 модуль 2 Гб

Пропускная с 
Подробнее...

Row Precharge Delay (tRP): 9

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Радиатор: есть

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Поддержка ECC: нет

Тактовая частота: 2000 МГц

RAS to CAS Delay (tRCD): 9

Напряжение питания: 1 
Подробнее...

Поддержка ECC: нет

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Row Precharge Delay (tRP): 7

Напряжение питания: 1.65 В

Пропускная способность: 8500 Мб/с

Тип памяти: DDR3

Тактовая частота: 1066 МГц

Форм-фактор: DIMM  
Подробнее...

Поддержка ECC: нет

Напряжение питания: 1.65 В

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

CAS Latency (CL): 10

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Row Precharge Delay (tRP): 10

CAS Latency (CL): 5

Row Precharge Delay (tRP): 5

Activate to Precharge Delay (tRAS): 18

Тактовая частота: 1066 МГц

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Тип памяти: DDR2

RAS to CAS Delay (tRCD): 5

Поддержка EC 
Подробнее...

Буферизованная (Registered): нет

Row Precharge Delay (tRP): 6

Тип памяти: DDR3

Напряжение питания: 1.65 В

RAS to CAS Delay (tRCD): 8

Поддержка ECC: нет

Объем: 3 модуля по 2 Гб

Радиатор: есть

CAS Latency (CL): 9

Поддержка ECC: нет

Тактовая частота: 1333 МГц

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Напряжение питания: 1.65 В

Пропускная способность: 10666 Мб/с

Тип памяти: DDR3

RAS to CAS Delay  
Подробнее...

Низкопрофильная (Low Profile): нет

RAS to CAS Delay (tRCD): 7

Тактовая частота: 1066 МГц

CAS Latency (CL): 7

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Row Precharge Delay (tRP): 7

Напряжение питания: 1.7 В

Поддерж 
Подробнее...

Поддержка ECC: нет

Напряжение питания: 1.5 В

Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Радиатор: есть

Тип памяти: DDR3

Объем: 2 модуля по 4 Гб

Буферизованная (Regist 
Подробнее...

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тактовая частота: 1600 МГц

Тип памяти: DDR3

Напряжение питания: 1.65 В

CAS Latency (CL): 8

Поддержка ECC: нет

Дополнительная ин 
Подробнее...