Магазин

Поддержка ECC: есть

Объем: 4 модуля по 2 Гб

Напряжение питания: 2.5 В

Пропускная способность: 2100 Мб/с

CAS Latency (CL): 2.5

Тип памяти: DDR

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Форм-фактор: DIMM  
Подробнее...

Тип памяти: DDR2

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Объем: 1 модуль 1 Гб

Тактовая частота: 533 МГц

CAS Latency (CL): 4

Пропускная способность: 4300 Мб/с

Поддержка 
Подробнее...

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тактовая частота: 266 МГц

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Напряжение питания: 2.5 В

Форм-фактор: DIMM 184-контактный

Поддержка ECC: есть

CAS Latency (CL): 2.5

Пропускна 
Подробнее...

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Тип памяти: DDR2

Напряжение питания: 1.8 В

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Пропускная способность: 5300 Мб/с

CAS Latency (CL): 5

Поддержка ECC: есть

Тактовая частота: 800 МГц

CAS Latency (CL): 5

Пропускная способность: 6400 Мб/с

Буферизованная (Registered): нет

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Низкопрофильная (Low Profile): нет
Подробнее...

Поддержка ECC: есть

RAS to CAS Delay (tRCD): 9

Количество чипов каждого модуля: 9, односторонняя упаковка

CAS Latency (CL): 9

Объем: 1 модуль 2 Гб

Буферизованная (Registered): нет

Напряжение питания: 1.5 
Подробнее...

Форм-фактор: DIMM 168-контактный

Тактовая частота: 133 МГц

CAS Latency (CL): 3

Напряжение питания: 3.3 В

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Поддержка ECC: есть

Объем: 4 модуля по 512 Мб

Буферизов 
Подробнее...

Буферизованная (Registered): да

Row Precharge Delay (tRP): 7

Количество чипов каждого модуля: 36, двусторонняя упаковка

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тип памяти: DDR3

RAS to CAS Delay (tRCD): 7

Такт 
Подробнее...

Поддержка ECC: есть

RAS to CAS Delay (tRCD): 5

Объем: 1 модуль 1 Гб

CAS Latency (CL): 5

Напряжение питания: 1.8 В

Row Precharge Delay (tRP): 5

Тип памяти: DDR2

Пропускная способность: 5300 Мб/с
Подробнее...

CAS Latency (CL): 2.5

Буферизованная (Registered): да

Тип памяти: DDR

Форм-фактор: DIMM 184-контактный

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Объем: 1 модуль 1 Гб

Поддержка ECC: есть

Пропускная спосо 
Подробнее...

Радиатор: есть

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Поддержка ECC: есть

Напряжение питания: 1.8 В

Пропускная способность: 5300 Мб/с

CAS Latency (CL): 5

Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный

Низкопрофильная (Low 
Подробнее...

Объем: 1 модуль 8 Гб

Буферизованная (Registered): да

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тактовая частота: 1066 МГц

Пропускная способность: 8500 Мб/с

Тип памяти: DDR3

Row Precharge Delay (tRP): 7

CA 
Подробнее...

Объем: 1 модуль 512 Мб

Поддержка ECC: нет

Тактовая частота: 667 МГц

Пропускная способность: 5300 Мб/с

Низкопрофильная (Low Profile): нет

CAS Latency (CL): 5

Тип памяти: DDR2

Буферизованная (Regis 
Подробнее...

Буферизованная (Registered): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Пропускная способность: 5300 Мб/с

Тактовая частота: 667 МГц

Тип памяти: DDR2

Напряжение питания: 1.8 В

Форм-фактор: DIMM 240-контактный 
Подробнее...

Тип памяти: DDR2

Пропускная способность: 6400 Мб/с

Напряжение питания: 1.8 В

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

CAS Latency (CL): 5

Объем: 1 модуль 1 Гб

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тактовая  
Подробнее...

Объем: 2 модуля по 2 Гб

CAS Latency (CL): 2.5

Поддержка ECC: есть

Пропускная способность: 2700 Мб/с

Тактовая частота: 333 МГц

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Напряжение питания: 2.5 В

Тип памя 
Подробнее...

Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный

Тип памяти: DDR2

Радиатор: есть

Поддержка ECC: есть

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тактовая частота: 667 МГц

CAS Latency (CL): 5

Буферизованная (Registered 
Подробнее...

Пропускная способность: 3200 Мб/с

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Поддержка ECC: есть

Низкопрофильная (Low Profile): нет

CAS Latency (CL): 3

Тип памяти: DDR

Форм-фактор: DIMM 184-контактный

Напряжение пи 
Подробнее...

Радиатор: есть

Поддержка ECC: есть

Пропускная способность: 5300 Мб/с

Тип памяти: DDR2

Буферизованная (Registered): да

Низкопрофильная (Low Profile): нет

CAS Latency (CL): 5

Объем: 2 модуля по 2 Г 
Подробнее...

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): да

Тип памяти: DDR2

Пропускная способность: 4200 Мб/с

Объем: 2 модуля по 512 Мб

CAS Latency (CL): 4

Поддержка ECC: есть

Радиатор: е 
Подробнее...