Магазин

Объем: 2 модуля по 1 Гб

CAS Latency (CL): 7

Тактовая частота: 1066 МГц

Тип памяти: DDR3

Буферизованная (Registered): нет

Форм-фактор: SODIMM 204-контактный

Поддержка ECC: нет

Низкопрофильная (Low 
Подробнее...

Низкопрофильная (Low Profile): нет

CAS Latency (CL): 9

Буферизованная (Registered): нет

Тип памяти: DDR3

Объем: 1 модуль 1 Гб

Напряжение питания: 1.5 В

Поддержка ECC: нет

Форм-фактор: DIMM 240-ко 
Подробнее...

Тип памяти: DDR3

Радиатор: есть

RAS to CAS Delay (tRCD): 8

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тактовая частота: 1600 МГц

Буферизованная (Registered): нет

CAS Late 
Подробнее...

CAS Latency (CL): 9

Тип памяти: DDR3

Поддержка ECC: есть

Тактовая частота: 1333 МГц

Буферизованная (Registered): да

Напряжение питания: 1.35 В

Пропускная способность: 10600 Мб/с

Объем: 2 модуля п 
Подробнее...

Тактовая частота: 1600 МГц

CAS Latency (CL): 8

Объем: 3 модуля по 1 Гб

RAS to CAS Delay (tRCD): 8

Тип памяти: DDR3

Радиатор: есть

Row Precharge Delay (tRP): 8

Низкопрофильная (Low Profile): нет
Подробнее...

Тип памяти: DDR3

CAS Latency (CL): 9

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тактовая частота: 1333 МГц

Напряжение питания: 1.5 В

Буферизованная (Registered): нет

Объем: 2 модуля по 1 Гб

Низкопрофильная 
Подробнее...

Объем: 3 модуля по 2 Гб

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Row Precharge Delay (tRP): 7

RAS to CAS Delay (tRCD): 7

Тактовая частота: 1333 МГц

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Activate to Precharge Delay  
Подробнее...

Напряжение питания: 1.5 В

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Буферизованная (Registered): да

Тип памяти: DDR3

Поддержка ECC: есть

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Объем: 3 модуля по 4 Гб

CAS Late 
Подробнее...

Напряжение питания: 1.8 В

Буферизованная (Registered): нет

Activate to Precharge Delay (tRAS): 20

RAS to CAS Delay (tRCD): 6

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Объем: 1 модуль 1 Гб

CAS Latency (CL): 6
Подробнее...

Объем: 3 модуля по 1 Гб

Activate to Precharge Delay (tRAS): 24

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Row Precharge Delay (tRP): 7

RAS to CAS Delay (tRCD): 7

Напряжение питания: 1.65 В

Радиатор: есть

Б 
Подробнее...

Тактовая частота: 1600 МГц

RAS to CAS Delay (tRCD): 8

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Row Precharge Delay (tRP): 8

Буферизованная (Registered): нет

Activate to Prechar 
Подробнее...

Буферизованная (Registered): да

Тип памяти: DDR3

Поддержка ECC: есть

Тактовая частота: 1333 МГц

Объем: 1 модуль 2 Гб

Низкопрофильная (Low Profile): нет

CAS Latency (CL): 9

Форм-фактор: DIMM 240-к 
Подробнее...

CAS Latency (CL): 9

Поддержка ECC: есть

Объем: 3 модуля по 1 Гб

Количество ранков: 1

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тактовая частота: 1333 МГц

Пропускная способность: 10600 Мб/с

Тип памяти: D 
Подробнее...

Row Precharge Delay (tRP): 8

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тип памяти: DDR3

Тактовая частота: 1600 МГц

Напряжение питания: 1.65 В

Радиатор: есть

Буферизованная (Registered): нет

Форм-фактор: 
Подробнее...

Буферизованная (Registered): нет

CAS Latency (CL): 7

Форм-фактор: SODIMM 204-контактный

Напряжение питания: 1.5 В

Тактовая частота: 1066 МГц

Объем: 2 модуля по 2 Гб

Поддержка ECC: нет

Низкопрофил 
Подробнее...

Объем: 3 модуля по 2 Гб

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Напряжение питания: 1.65 В

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): нет

Пропускная способность: 12800 Мб/с

RAS to CAS Delay 
Подробнее...

Пропускная способность: 10600 Мб/с

Низкопрофильная (Low Profile): да

Тактовая частота: 1333 МГц

Количество ранков: 1

Поддержка ECC: есть

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Напряжение питания: 1.35 В

Пропускная способность: 10600 Мб/с

Количество ранков: 2

Буферизованная (Registered): да

Напряжение питания: 1.35 В

Низкопрофильная (Low Profile): да

Объем: 1 модуль 2 Гб

CAS Latency (CL): 9

Такто 
Подробнее...

Количество ранков: 4

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Буферизованная (Registered): да

Пропускная способность: 8500 Мб/с

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тип памяти: DDR3

Радиатор: есть

CAS Late 
Подробнее...

Row Precharge Delay (tRP): 9

Буферизованная (Registered): нет

Радиатор: есть

Activate to Precharge Delay (tRAS): 28

CAS Latency (CL): 9

Напряжение питания: 2 В

Тактовая частота: 2000 МГц

Тип памя 
Подробнее...